・以前からかなり時間がたった。 ・ので、その後の状況。 |
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| ・最初に、Ｎｏ−２４８ Ｓｉｍｐｌｅ ＴＲ ＭＣプリアンプ。 ・２ＳＡ６０６、２ＳＣ９６０を使用した 簡素版無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプ。 ・ちょっとだけ改変してある。 |
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・回路はこう。 ・初段下の定電流回路のベース電圧を決めるツェナーダイオードをＨＺ６Ｃ２からＨＺ３Ｃ１に変更し、エミッタ抵抗を５．６ｋΩから２．２ｋΩに変更。 ・終段２ＳＣ９６０のエミッタ抵抗を５６０Ωから３３０Ωに変更するとともに、ツェナーダイオードＨＺ３Ｃ１を新たに挿入。 ・出力の抵抗を５６０Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームから１００Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームに変更。 ・ＳＡＯＣ入口の抵抗を３０ｍｅｇΩから１０ｍｅｇΩに変更。 |
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| ・要すれば、電流ゲインをやや増やし、その結果的に電圧ゲインをやや減らしたもの。 |
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| ・それを観るシミュレーション結果。 ・まず、下が電圧ゲイン。 ・緑のV（vb）／V(in）が、終段ダーリントンTR入口＝イコライザー素子までの電圧ゲインで、赤のＶ（ｏｕｔ）／Ｖ（ｉｎ）が終段ダーリントンＴＲ出口での電圧ゲイン。 ・終段ダーリントンＴＲでボリューム最大で△５ｄＢ近く電圧ゲインが減っていることが分かる。 ・上が、電流ゲイン。要はこれがＮｏ−２４８ Ｓｉｍｐｌｅ ＴＲ ＭＣプリアンプのｇｍで、０ｄＢがｇｍ＝１Ｓである。 ・なので、１ｋＨｚにおいては、ボリュームＲ３４＝１ｋΩの時には約９．５ｄＢ＝３Ｓ、１００Ωの時には約３．５ｄＢ＝１．５Ｓ、１０Ωの場合は約−１１ｄＢ＝０．２８Ｓ、１Ωの場合は約−３０ｄＢ＝０．０３Ｓ、０．１Ωの場合は約−５０ｄＢ＝０．００３Ｓである。 |
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| ・前がどうだったのか分からなければ、電流ゲインをやや増やし、電圧ゲインをやや減らしたことが明らかにならない。 ・従前の回路で同じくシミュレーションをする。 |
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| ・結果はこう。 ・下が電圧ゲインだが、改定前は終段ダーリントンＴＲの電圧ゲインはほぼ０ｄＢ〜２ｄB程度だったものが、上の改定後では△３．５ｄＢ以上減少していることも分かる。 ・次に電流ゲインだが、この表上の電流ゲインの結果と改定後の結果を見比べると、約４ｄＢ程度ゲインが上昇していることが分かる。 |
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| ・改定後の、１ｋHzの０．３ｍV、１ｍV、２ｍV、３ｍV、４ｍV、５ｍVサイン波入力における、出力電圧及び出力電流を観る。 |
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| ・上が電流出力、下が電圧出力の状況。 ・入力５ｍVまで問題なく対応している。 ・良いね。 |
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| ・が、良いことばかりではない。 ・１ｍＶ、１ｋHzサイン波入力における歪率を観ると、 ・Ｔｏｔａｌ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．０５１９０７％。 ・従来型では、０．０１０２２６％であったから５倍以上悪くなった。 ・が、従来型より電流ゲインが４ｄB大きくなったのだから、入力を−４ｄB≒０．６３倍＝０．６３ｍVにして測定しなければ、比較にならないので、やってみたところ、 ・Ｔｏｔａｌ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．０３１９５２％。 ・残念ながら、３倍以上となった。 ・終段２ＳＣ９６０のエミッタ抵抗を減らしたため、電流帰還、要するにＮＦＢ量が減ったためだろう。 ・が、無帰還であるし、この単純な回路で十分な出力をもたらすMCプリアンプとなっているのだから、不満はない。 |
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| ・ＳＡＯＣの入口の抵抗を３０ｍｅｇΩから１０ｍｅｇΩに変更したのは、本体の変更に伴い、低域のピーク周波数を適正にするためのもの。 ・これに伴い、電源オン直後に出力電圧に現れる過渡的電圧が０Vに収束するまでの様子も変わる。 ・その状況を、カートリッジVTCを繋いでいる場合と、繋いでいない場合でシミュレートする。 |
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| ・結果。 ・緑がカートリッジVTCを繋いでいる場合、赤が繋いでいない場合。 ・従来型に比較すると、過渡電圧もやや小さくなり、０Vに収束するまでの時間も半分程度に短くなっている。 |
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| ・次に、Ｎｏ−２４８ Ｓｉｍｐｌｅ MOS ＭＣプリアンプ。 ・２ＳJ７７、２ＳK２１４を使用した 簡素版無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプ。 ・これもちょっとだけ改変してある。 |
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・回路はこう。 ・終段２ＳK２１４のソース抵抗を５６０Ωから３３０Ωに変更するとともに、ツェナーダイオードＨＺ３Ｃ１を新たに挿入。 ・出力の抵抗を５６０Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームから１００Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームに変更。 ・ＳＡＯＣ入口の抵抗を３０ｍｅｇΩから１０ｍｅｇΩに変更。 ・要すれば、Ｎｏ−２４８ Ｓｉｍｐｌｅ ＴＲ ＭＣプリアンプと同じ。 |
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| ・これも、電流ゲインをやや増やし、その結果的に電圧ゲインをやや減らしたもの。 |
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| ・それを観るシミュレーション結果がこれ。 ・まず、下が電圧ゲイン。 ・緑のV（ｍ１ｇ）／V(in）が、終段ＭＯＳ入口＝イコライザー素子までの電圧ゲインで、赤のＶ（ｏｕｔ）／Ｖ（ｉｎ）が終段ＭＯＳ出口での電圧ゲイン。 ・終段ＭＯＳでボリューム最大で△５ｄＢゲインが減っていることが分かる。 ・上が、電流ゲイン。要はこれがＮｏ−２４８ Ｓｉｍｐｌｅ ＭＯＳ ＭＣプリアンプのｇｍで、０ｄＢがｇｍ＝１Ｓである。 ・なので、１ｋＨｚにおいては、ボリュームＲ３４＝１ｋΩの時には約８．０ｄＢ＝２．５Ｓ、１００Ωの時には約３．５ｄＢ＝１．５Ｓ、１０Ωの場合は約−１１．３ｄＢ＝０．２７Ｓ、１Ωの場合は約−３０．５ｄＢ＝０．０３Ｓ、０．１Ωの場合は約−５０．５ｄＢ＝０．００３Ｓである。 ・測定誤差と言うか読み取り誤差があるので、大体Simple TR MCプリアンプと同じだが、全体的にやや小さい。 ・これは、２ＳＫ２１４のｇｍが２ＳＣ１４００＋２ＳＣ９６０によるダーリントンＴＲによるｇｍよりやや小さいためだろう。 |
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| ・従前の回路で同じくシミュレーションをする。 |
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| ・結果はこう。 ・下が電圧ゲインだが、これと比較すると、改定前のMOSの電圧ゲインはほぼ△５ｄＢ以上減少していることも分かる。 ・次に上の電流ゲインだが、この表上の電流ゲインの結果と改定後の結果を見比べると、約５ｄＢ程度ゲインが上昇していることが分かる。 |
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| ・改定後の、１ｋHzの０．３ｍV、１ｍV、２ｍV、３ｍV、４ｍV、５ｍVサイン入力における、出力電圧及び出力電流を観る。 |
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| ・上が電流出力、下が電圧出力の状況。 ・入力５ｍVまで問題なく対応している。 |
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| ・１ｍＶ、１ｋHzサイン波入力における歪率を観ると、 ・Ｔｏｔａｌ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．１２２３２５％。 ・従来型では、０．０３１０６％であったから４倍悪くなった。 ・が、従来型より電流ゲインが５ｄB大きくなったのだから、入力を−５ｄB≒０．５６倍＝０．５６ｍVにして測定しなければ、比較にならないので、やってみたところ、 ・Ｔｏｔａｌ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．０６７７５３％。 ・TR版と同様、残念ながら、２倍以上となった。 ・これも、２ＳＫ２１４のソース抵抗を減らしたため、電流帰還、要するにＮＦＢ量が減ったためだ。しょうがない。 |
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| ・ＳＡＯＣの入口の抵抗を３０ｍｅｇΩから１０ｍｅｇΩに変更したことに伴い、電源オン直後に出力電圧に現れる過渡的電圧が０Vに収束するまでの様子を観る。 ・カートリッジVTCを繋いでいる場合と、繋いでいない場合でシミュレート。 |
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| ・結果。 ・緑がカートリッジVTCを繋いでいる場合、赤が繋いでいない場合。 ・従来型に比較すると、過渡電圧もやや小さくなり、０Vに収束するまでの時間も半分程度に短くなっている。 |
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| ・続いて、Ｎｏ−２４８ Ｓｉｍｐｌｅ SIT ＭＣプリアンプ。 ・２ＳＫ６３を使用した 簡素版無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプ。 ・これも同様にちょっとだけ改変してある。 |
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・回路はこう。 ・終段２ＳK６３のソース抵抗を５６０Ωから３３０Ωに変更するとともに、ツェナーダイオードＨＺ４Ｂ２を新たに挿入。 ・出力の抵抗を５６０Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームから１００Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームに変更。 ・ＳＡＯＣ入口の抵抗を３０ｍｅｇΩから１０ｍｅｇΩに変更。 ・２ＳＫ６３のドレイン―ゲート間に取り付けていた５ｐＦを撤去。 ・要すれば、Ｎｏ−２４８ Ｓｉｍｐｌｅ ＴＲ ＭＣプリアンプ、Ｎｏ−２４８ Ｓｉｍｐｌｅ ＴＲ ＭＣプリアンプに同じ。 |
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| ・これも、電流ゲインをやや増やし、その結果的に電圧ゲインをやや減らしたもの。 |
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| ・それを観るシミュレーション結果。 ・まず、下が電圧ゲイン。 ・緑のV（ｍ１ｇ）／V(in）が、終段ＳＩＴ入口＝イコライザー素子までの電圧ゲインで、赤のＶ（ｏｕｔ）／Ｖ（ｉｎ）が終段ＳＩＴ出口での電圧ゲイン。 ・終段ＳＩＴでボリューム最大で△６ｄＢゲインが減っていることが分かる。 ・上が、電流ゲイン。要はこれがＮｏ−２４８ Ｓｉｍｐｌｅ ＳＩＴ ＭＣプリアンプのｇｍで、０ｄＢがｇｍ＝１Ｓである。 ・なので、１ｋＨｚにおいては、ボリュームＲ３４＝１ｋΩの時には約８．７ｄＢ＝２．７Ｓ、１００Ωの時には約２．８ｄＢ＝１．３８Ｓ、１０Ωの場合は約−１２ｄＢ＝０．２５Ｓ、１Ωの場合は約−３１．２ｄＢ＝０．０２６Ｓ、０．１Ωの場合は約−５１ｄＢ＝０．００２８Ｓである。 ・大体Simple TR MCプリアンプやとSimple MOS MCプリアンプより、全体的にやや小さい。 ・これは、２ＳＫ６３（＝２SK７９）のｇｍが２ＳＫ２１４のｇｍよりやや小さいためだろう。 |
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| ・従前の回路で同じくシミュレーションをする。 |
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| ・結果はこう。 ・下が電圧ゲインだが、これと比較すると、改定後のＳＩＴの電圧ゲインはほぼ△５ｄＢ以上減少していることが分かる。 ・また、終段ＳＩＴによる電圧ゲインは、従前は０ｄＢ程度であったものが、改定後は△４ｄＢ以下になっている、従前型では２ＳＫ６３のドレイン―ゲート間に発振対策として５ｐＦが必要だったものが、改定後は必要なくなったのは、このためであろう。 ・次に上の電流ゲインだが、この表上の電流ゲインの結果と改定後の結果を見比べると、約５ｄＢ程度ゲインが上昇していることが分かる。 |
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| ・改定後の、１ｋHzの０．３ｍV、１ｍV、２ｍV、３ｍV、４ｍV、５ｍVサイン入力における、出力電圧及び出力電流を観る。 |
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| ・上が電流出力、下が電圧出力の状況。 ・入力５ｍVまで問題なく対応している。 |
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| ・１ｍＶ、１ｋHzサイン波入力における歪率を観ると、 ・Ｔｏｔａｌ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．１４９２８９％ ・従来型では、０．０３６１７９％であったから４倍以上悪くなった。 ・が、従来型より電流ゲインが５ｄB大きくなったのだから、入力を−５ｄB≒０．５６倍＝０．５６ｍVにして測定しなければ、比較にならないので、やってみたところ、 ・Ｔｏｔａｌ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．０８３０９％。 ・TR版、MOS版と同様、残念ながら、２倍以上となった。 ・これも、２ＳＫ６８のソース抵抗を減らしたため、電流帰還、要するにＮＦＢ量が減ったことによるので、しょうがない。 |
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| ・ＳＡＯＣの入口の抵抗を３０ｍeｇΩから１０ｍegΩに変更したことに伴い、電源オン直後に出力に現れる過渡的電圧が０Vに収束するまでの様子を観る。 ・カートリッジVTCを繋いでいる場合と、繋いでいない場合でシミュレート。 |
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| ・結果。 ・緑がカートリッジVTCを繋いでいる場合、赤が繋いでいない場合。 ・従来型に比較すると、過渡電圧は半分程度になり、０Vに収束するまでの時間も半分程度に短くなっている。 |
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| ・続いて、Ｎｏ−２４８ Ｓｉｍｐｌｅ ４０４A ＭＣプリアンプ。 ・WE４０４Aを使用した 簡素版無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプ。 ・これも同様にちょっとだけ改変してある。 |
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・回路はこう。 ・終段４０４Aのカソード抵抗を５６０Ωから３３０Ωに変更。 ・出力の抵抗を５６０Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームから１００Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームに変更。 ・ＳＡＯＣ入口の抵抗を３０ｍｅｇΩから１０ｍｅｇΩに変更。 ・４０４Aのプレート―グリッド間に取り付けていた１０ｐF＋１０ｐFを、左チャンネルは撤去、右チャンネルは５ｐF＋５ｐFに変更。 ・要すれば、これまでのＳｉｍｐｌｅ ＭＣプリアンプ達に同じ。 |
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| ・これも、電流ゲインをやや増やし、その結果的に電圧ゲインをやや減らしたもの。 ・ただし、４０４Ａのモデルがなく、Ｃ３Ｇのモデルで代用しているので、以下どこまで正しいかは不明。 |
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| ・それを観るシミュレーション結果。 ・まず、下が電圧ゲイン。 ・緑のV（Vｇ）／V(in）が、終段Ｃ３Ｇ入口＝イコライザー素子までの電圧ゲインで、赤のＶ（ｏｕｔ）／Ｖ（ｉｎ）が終段Ｃ３Ｇ出口での電圧ゲイン。 ・終段Ｃ３Ｇでボリューム最大で△８ｄＢゲインが減っていることが分かる。 ・上が、電流ゲイン。要はこれがＮｏ−２４８ Ｓｉｍｐｌｅ ４０４Ａ ＭＣプリアンプのｇｍで、０ｄＢがｇｍ＝１Ｓである。 ・なので、１ｋＨｚにおいては、ボリュームＲ３４＝１ｋΩの時には約７．６５ｄＢ＝２．４１Ｓ、１００Ωの時には約２．５ｄＢ＝１．３３Ｓ、１０Ωの場合は約−１２．３ｄＢ＝０．２４Ｓ、１Ωの場合は約−３１．５ｄＢ＝０．０２６Ｓ、０．１Ωの場合は約−５１．５ｄＢ＝０．００２６Ｓである。 ・Simple TR MCプリアンプやSimple MOS MCプリアンプ、そして、Simple ＳＩＴ MCプリアンプのｇｍよりやや小さい。 |
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| ・従前の回路で同じくシミュレーションをする。 |
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| ・結果はこう。 ・下が電圧ゲインだが、従前から終段C3Gの電圧ゲインは△３ｄBとマイナスだったことが分かるが、改定後のＳＩＴの電圧ゲインは更に△５ｄＢ程度減少して、トータル△８ｄBとなっていることが分かる。 ・こういう事なので、Ｓｉｍｐｌｅ ２ＳＫ６３ ＭＣプリアンプと同様に４０４Aのプレート―グリッド間の１０ｐF＋１０ｐFはもう不要だろうと、これを外したのだが、左チャンネルはそれで良かったが、右チャンネルはそうは行かず、５ｐF＋５ｐFが必要で、これがないと発振する。何とも難しいものだ。 ・次に電流ゲインだが、この表上の電流ゲインの結果と改定後の結果を見比べると、約４ｄＢ程度ゲインが上昇していることが分かる。 |
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| ・改定後の、１ｋHzの０．３ｍV、１ｍV、２ｍV、３ｍV、４ｍV、５ｍVサイン入力における、出力電圧及び出力電流を観る。 |
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| ・上が電流出力、下が電圧出力の状況。下の電圧出力のC3Gのグリッド電圧V（ｖｇ）は−１１０Ｖ付近なので、１１０Ｖを加算して見やすく表示したもの。 ・入力５ｍVまで問題なく対応している。 |
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| ・１ｍＶ、１ｋHzサイン波入力における歪率を観ると、 ・Ｔｏｔａｌ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．２２３６７９％。 ・従来型では、０．０６０３９３％であるから４倍近く悪くなった。 ・が、従来型より電流ゲインが４ｄB大きくなったのだから、入力を−４ｄB≒０．６３倍＝０．６３ｍVにして測定しなければ、比較にならないので、やってみたところ、 ・Ｔｏｔａｌ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．１４０７６５１％。 ・残念ながら、２倍以上となった。 ・これも、C3Gのカソード抵抗を減らしたため、電流帰還、要するにＮＦＢ量が減ったことによるので、しょうがない。 |
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| ・ＳＡＯＣの入口の抵抗を３０ｍeｇΩから１０ｍegΩに変更したことに伴い、電源オン直後に出力に現れる過渡的電圧が０Vに終息するまでの様子を観る。 ・カートリッジVTCを繋いでいる場合と、繋いでいない場合でシミュレート。 |
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| ・結果。 ・緑がカートリッジVTCを繋いでいる場合、赤が繋いでいない場合。 ・従来型に比較すると、過渡電圧は半分程度になり、０Vに収束するまでの時間もやや短くなっている。 ・が、実機ではこうはならない。このシミュレーションでは、電源オン後真空管のヒーターが徐々に暖まって恒常状態になる過程がすっぽり抜けている。 ・で、実機で電源オンから何秒で０Vに収束するかを測ってみると、案外ヒーターが暖まるまでの時間は短く、結果、１５秒程度で収束する。 |
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・以上４台の簡素版無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプ。 ・ＤＬ−１０３用のＭＣプリアンプがこんなに簡素に成り立っている。奇跡のよう。 ・音も素晴らしい。 ・以上４台の簡素版無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプに音の違いはあるか？ ・と言うと中々難しい。 ・駄耳のせいなのが一番大きいが、４台とも、音を作っている中核がカートリッジVICの２ＳＫ９７であるということがある。 ・２ＳＫ９７のｇｍとイコライザー素子のインピーダンスで、１ｋＨｚで６０ｄＢ＝１０００倍のゲインが稼がれているのだ。 ・ＴＲやＭＯＳ、ＳＩＴ、そして真空管を用いた終段は、バッファに過ぎない。 ・そのバッファの違いが耳で分かるか？と言うことだが、まぁ、ほぼ分からない。（爆） ・が、敢えて言えば、ＳＩＴ ２ＳＫ６３を用いたＮｏ−２４８ Ｓｉｍｐｌｅ SIT ＭＣプリアンプの音がなかなか好ましい。 ・ＳＩＴは登場した途端に消えてしまったが、音は良いものだったのだ。 ・私は、V-FET（ＳＩＴ）２ＳＪ１８−２ＳＫ６０パワーアンプ兼パワーＩＶＣとＳＩＴ（Ｖ−ＦＥＴ）２ＳＪ２０Ａ−２ＳＫ７０Ａパワーアンプ兼パワーＩＶＣと、V-FET（ＳＩＴ）起用のパワーアンプ兼パワーＩＶＣを有しているが、理由はそういうこと。 ・さらに、敢えて言えば、ＭＯＳ ２ＳＫ２１４を用いたＮｏ−２４８ Ｓｉｍｐｌｅ ＭＯＳ ＭＣプリアンプの音も良い。 ・効率の悪いＳＩＴを消滅に追いやった素子だが、音も端正と秀才的な素子だ。 ・次にＴＲ。２ＳＣ９６０（２SC９５９も同じもの）を用いたＮｏ−２４８ Ｓｉｍｐｌｅ ＴＲ ＭＣプリアンプ。 ・近ごろは先生もＴＲに回帰されている。先生がはるか昔に選び抜かれたTRだ。音が良いのは当たり前。高解像度と仰られるがその通りかな。 ・そして、真空管。WE404Aを用いたＮｏ−２４８ Ｓｉｍｐｌｅ ４０４A ＭＣプリアンプ。 ・残念ながら、如何にも真空管と言った感じの音はしない。奥行きが深い空間感が出るが、基本的に半導体を用いた他のＳｉｍｐｌｅ ＭＣプリアンプ達と同様の音がする。要するに良い。 ・総じて、どれも最近の光カートリッジとそれ用に製作した光カートリッジ用プリアンプが奏でる音に肉薄又は匹敵する音がする。ので、今後も生き残るだろう。 |
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