Ｎｏ－２４８

無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプをＳｔｕｄｙする

その２

以前の内容はこちら

・以前からかなり時間がたった。・ので、その後の状況。
・最初に、Ｎｏ－２４８ＳｉｍｐｌｅＴＲＭＣプリアンプ。・２ＳＡ６０６、２ＳＣ９６０を使用した簡素版無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプ。・ちょっとだけ改変してある。

・回路はこう。・初段下の定電流回路のベース電圧を決めるツェナーダイオードをＨＺ６Ｃ２からＨＺ３Ｃ１に変更し、エミッタ抵抗を５．６ｋΩから２．２ｋΩに変更。・終段２ＳＣ９６０のエミッタ抵抗を５６０Ωから３３０Ωに変更するとともに、ツェナーダイオードＨＺ３Ｃ１を新たに挿入。・出力の抵抗を５６０Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームから１００Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームに変更。・ＳＡＯＣ入口の抵抗を３０ｍｅｇΩから１０ｍｅｇΩに変更。

・要すれば、電流ゲインをやや増やし、その結果的に電圧ゲインをやや減らしたもの。
・それを観るシミュレーション結果。・まず、下が電圧ゲイン。・緑のV（vb）／V(in）が、終段ダーリントンTR入口＝イコライザー素子までの電圧ゲインで、赤のＶ（ｏｕｔ）／Ｖ（ｉｎ）が終段ダーリントンＴＲ出口での電圧ゲイン。・終段ダーリントンＴＲでボリューム最大で△５ｄＢ近く電圧ゲインが減っていることが分かる。・上が、電流ゲイン。要はこれがＮｏ－２４８ＳｉｍｐｌｅＴＲＭＣプリアンプのｇｍで、０ｄＢがｇｍ＝１Ｓである。・なので、１ｋＨｚにおいては、ボリュームＲ３４＝１ｋΩの時には約９．５ｄＢ＝３Ｓ、１００Ωの時には約３．５ｄＢ＝１．５Ｓ、１０Ωの場合は約－１１ｄＢ＝０．２８Ｓ、１Ωの場合は約－３０ｄＢ＝０．０３Ｓ、０．１Ωの場合は約－５０ｄＢ＝０．００３Ｓである。
・前がどうだったのか分からなければ、電流ゲインをやや増やし、電圧ゲインをやや減らしたことが明らかにならない。・従前の回路で同じくシミュレーションをする。
・結果はこう。・下が電圧ゲインだが、改定前は終段ダーリントンＴＲの電圧ゲインはほぼ０ｄＢ～２ｄB程度だったものが、上の改定後では△３．５ｄＢ以上減少していることも分かる。・次に電流ゲインだが、この表上の電流ゲインの結果と改定後の結果を見比べると、約４ｄＢ程度ゲインが上昇していることが分かる。
・改定後の、１ｋHzの０．３ｍV、１ｍV、２ｍV、３ｍV、４ｍV、５ｍVサイン波入力における、出力電圧及び出力電流を観る。
・上が電流出力、下が電圧出力の状況。・入力５ｍVまで問題なく対応している。・良いね。
・が、良いことばかりではない。・１ｍＶ、１ｋHzサイン波入力における歪率を観ると、・Ｔｏｔａｌ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．０５１９０７％。・従来型では、０．０１０２２６％であったから５倍以上悪くなった。・が、従来型より電流ゲインが４ｄB大きくなったのだから、入力を－４ｄB≒０．６３倍＝０．６３ｍVにして測定しなければ、比較にならないので、やってみたところ、・Ｔｏｔａｌ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．０３１９５２％。・残念ながら、３倍以上となった。・終段２ＳＣ９６０のエミッタ抵抗を減らしたため、電流帰還、要するにＮＦＢ量が減ったためだろう。・が、無帰還であるし、この単純な回路で十分な出力をもたらすMCプリアンプとなっているのだから、不満はない。
・ＳＡＯＣの入口の抵抗を３０ｍｅｇΩから１０ｍｅｇΩに変更したのは、本体の変更に伴い、低域のピーク周波数を適正にするためのもの。・これに伴い、電源オン直後に出力電圧に現れる過渡的電圧が０Vに終息するまでの様子も変わる。・その状況を、カートリッジVⅠCを繋いでいる場合と、繋いでいない場合でシミュレートする。
・結果。・緑がカートリッジVⅠCを繋いでいる場合、赤が繋いでいない場合。・従来型に比較すると、過渡電圧もやや小さくなり、０Vに終息するまでの時間も半分程度に短くなっている。

・次に、Ｎｏ－２４８Ｓｉｍｐｌｅ MOS ＭＣプリアンプ。・２ＳJ７７、２ＳK２１４を使用した簡素版無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプ。・これもちょっとだけ改変してある。

・回路はこう。・終段２ＳK２１４のソース抵抗を５６０Ωから３３０Ωに変更するとともに、ツェナーダイオードＨＺ３Ｃ１を新たに挿入。・出力の抵抗を５６０Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームから１００Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームに変更。・ＳＡＯＣ入口の抵抗を３０ｍｅｇΩから１０ｍｅｇΩに変更。・要すれば、Ｎｏ－２４８ＳｉｍｐｌｅＴＲＭＣプリアンプと同じ。

・これも、電流ゲインをやや増やし、その結果的に電圧ゲインをやや減らしたもの。
・それを観るシミュレーション結果がこれ。・まず、下が電圧ゲイン。・緑のV（ｍ１ｇ）／V(in）が、終段ＭＯＳ入口＝イコライザー素子までの電圧ゲインで、赤のＶ（ｏｕｔ）／Ｖ（ｉｎ）が終段ＭＯＳ出口での電圧ゲイン。・終段ＭＯＳでボリューム最大で△５ｄＢゲインが減っていることが分かる。・上が、電流ゲイン。要はこれがＮｏ－２４８ＳｉｍｐｌｅＭＯＳＭＣプリアンプのｇｍで、０ｄＢがｇｍ＝１Ｓである。・なので、１ｋＨｚにおいては、ボリュームＲ３４＝１ｋΩの時には約８．０ｄＢ＝２．５Ｓ、１００Ωの時には約３．５ｄＢ＝１．５Ｓ、１０Ωの場合は約－１１．３ｄＢ＝０．２７Ｓ、１Ωの場合は約－３０．５ｄＢ＝０．０３Ｓ、０．１Ωの場合は約－５０．５ｄＢ＝０．００３Ｓである。・測定誤差と言うか読み取り誤差があるので、大体Simple TR MCプリアンプと同じだが、全体的にやや小さい。・これは、２ＳＫ２１４のｇｍが２ＳＣ１４００＋２ＳＣ９６０によるダーリントンＴＲによるｇｍよりやや小さいためだろう。
・従前の回路で同じくシミュレーションをする。
・結果はこう。・下が電圧ゲインだが、これと比較すると、改定前のMOSの電圧ゲインはほぼ△５ｄＢ以上減少していることも分かる。・次に上の電流ゲインだが、この表上の電流ゲインの結果と改定後の結果を見比べると、約５ｄＢ程度ゲインが上昇していることが分かる。
・改定後の、１ｋHzの０．３ｍV、１ｍV、２ｍV、３ｍV、４ｍV、５ｍVサイン入力における、出力電圧及び出力電流を観る。
・上が電流出力、下が電圧出力の状況。・入力５ｍVまで問題なく対応している。
・１ｍＶ、１ｋHzサイン波入力における歪率を観ると、・Ｔｏｔａｌ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．１２２３２５％。・従来型では、０．０３１０６％であったから４倍悪くなった。・が、従来型より電流ゲインが５ｄB大きくなったのだから、入力を－５ｄB≒０．５６倍＝０．５６ｍVにして測定しなければ、比較にならないので、やってみたところ、・Ｔｏｔａｌ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．０６７７５３％。・TR版と同様、残念ながら、２倍以上となった。・これも、２ＳＫ２１４のソース抵抗を減らしたため、電流帰還、要するにＮＦＢ量が減ったためだ。しょうがない。
・ＳＡＯＣの入口の抵抗を３０ｍｅｇΩから１０ｍｅｇΩに変更したことに伴い、電源オン直後に出力電圧に現れる過渡的電圧が０Vに終息するまでの様子を観る。・カートリッジVⅠCを繋いでいる場合と、繋いでいない場合でシミュレート。
・結果。・緑がカートリッジVⅠCを繋いでいる場合、赤が繋いでいない場合。・従来型に比較すると、過渡電圧もやや小さくなり、０Vに終息するまでの時間も半分程度に短くなっている。

・続いて、Ｎｏ－２４８Ｓｉｍｐｌｅ SIT ＭＣプリアンプ。・２ＳＫ６３を使用した簡素版無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプ。・これも同様にちょっとだけ改変してある。

・回路はこう。・終段２ＳK６３のソース抵抗を５６０Ωから３３０Ωに変更するとともに、ツェナーダイオードＨＺ４Ｂ２を新たに挿入。・出力の抵抗を５６０Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームから１００Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームに変更。・ＳＡＯＣ入口の抵抗を３０ｍｅｇΩから１０ｍｅｇΩに変更。・２ＳＫ６３のドレイン―ゲート間に取り付けていた５ｐＦを撤去。・要すれば、Ｎｏ－２４８ＳｉｍｐｌｅＴＲＭＣプリアンプ、Ｎｏ－２４８ＳｉｍｐｌｅＴＲＭＣプリアンプ同じ。

・これも、電流ゲインをやや増やし、その結果的に電圧ゲインをやや減らしたもの。
・それを観るシミュレーション結果。・まず、下が電圧ゲイン。・緑のV（ｍ１ｇ）／V(in）が、終段ＳＩＴ入口＝イコライザー素子までの電圧ゲインで、赤のＶ（ｏｕｔ）／Ｖ（ｉｎ）が終段ＳＩＴ出口での電圧ゲイン。・終段ＳＩＴでボリューム最大で△６ｄＢゲインが減っていることが分かる。・上が、電流ゲイン。要はこれがＮｏ－２４８ＳｉｍｐｌｅＳＩＴＭＣプリアンプのｇｍで、０ｄＢがｇｍ＝１Ｓである。・なので、１ｋＨｚにおいては、ボリュームＲ３４＝１ｋΩの時には約８．７ｄＢ＝２．７Ｓ、１００Ωの時には約２．８ｄＢ＝１．３８Ｓ、１０Ωの場合は約－１２ｄＢ＝０．２５Ｓ、１Ωの場合は約－３１．２ｄＢ＝０．０２６Ｓ、０．１Ωの場合は約－５１ｄＢ＝０．００２８Ｓである。・大体Simple TR MCプリアンプやとSimple MOS MCプリアンプより、全体的にやや小さい。・これは、２ＳＫ６３（＝２SK７９）のｇｍが２ＳＫ２１４のｇｍよりやや小さいためだろう。
・従前の回路で同じくシミュレーションをする。
・結果はこう。・下が電圧ゲインだが、これと比較すると、改定後のＳＩＴの電圧ゲインはほぼ△５ｄＢ以上減少していることが分かる。・また、終段ＳＩＴによる電圧ゲインは、従前は０ｄＢ程度であったものが、改定後は△４ｄＢ以下になっている、従前型では２ＳＫ６３のドレイン―ゲート間に発振対策として５ｐＦが必要だったものが、改定後は必要なくなったのは、このためであろう。・次に上の電流ゲインだが、この表上の電流ゲインの結果と改定後の結果を見比べると、約５ｄＢ程度ゲインが上昇していることが分かる。
・改定後の、１ｋHzの０．３ｍV、１ｍV、２ｍV、３ｍV、４ｍV、５ｍVサイン入力における、出力電圧及び出力電流を観る。
・上が電流出力、下が電圧出力の状況。・入力５ｍVまで問題なく対応している。
・１ｍＶ、１ｋHzサイン波入力における歪率を観ると、・Ｔｏｔａｌ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．１４９５０２％。・従来型では、０．０３６１７９％であったから４倍以上悪くなった。・が、従来型より電流ゲインが５ｄB大きくなったのだから、入力を－５ｄB≒０．５６倍＝０．５６ｍVにして測定しなければ、比較にならないので、やってみたところ、・Ｔｏｔａｌ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．０８３０９％。・TR版、MOS版と同様、残念ながら、２倍以上となった。・これも、２ＳＫ６８のソース抵抗を減らしたため、電流帰還、要するにＮＦＢ量が減ったことによるので、しょうがない。
・ＳＡＯＣの入口の抵抗を３０ｍeｇΩから１０ｍegΩに変更したことに伴い、電源オン直後に出力に現れる過渡的電圧が０Vに終息するまでの様子を観る。・カートリッジVⅠCを繋いでいる場合と、繋いでいない場合でシミュレート。
・結果。・緑がカートリッジVⅠCを繋いでいる場合、赤が繋いでいない場合。・従来型に比較すると、過渡電圧は半分程度になり、０Vに終息するまでの時間も半分程度に短くなっている。

・続いて、Ｎｏ－２４８Ｓｉｍｐｌｅ４０４A ＭＣプリアンプ。・WE４０４Aを使用した簡素版無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプ。・これも同様にちょっとだけ改変してある。

・回路はこう。・終段４０４Aのカソード抵抗を５６０Ωから３３０Ωに変更。・出力の抵抗を５６０Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームから１００Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームに変更。・ＳＡＯＣ入口の抵抗を３０ｍｅｇΩから１０ｍｅｇΩに変更。・４０４Aのプレート―グリッド間に取り付けていた１０ｐF＋１０ｐFを、左チャンネルは撤去、右チャンネルは５ｐF＋５ｐFに変更。・要すれば、これまでのＳｉｍｐｌｅＭＣプリアンプ達に同じ。

・これも、電流ゲインをやや増やし、その結果的に電圧ゲインをやや減らしたもの。・ただし、４０４Ａのモデルがなく、Ｃ３Ｇのモデルで代用しているので、以下どこまで正しいかは不明。
・それを観るシミュレーション結果。・まず、下が電圧ゲイン。・緑のV（Vｇ）／V(in）が、終段Ｃ３Ｇ入口＝イコライザー素子までの電圧ゲインで、赤のＶ（ｏｕｔ）／Ｖ（ｉｎ）が終段Ｃ３Ｇ出口での電圧ゲイン。・終段Ｃ３Ｇでボリューム最大で△８ｄＢゲインが減っていることが分かる。・上が、電流ゲイン。要はこれがＮｏ－２４８Ｓｉｍｐｌｅ４０４ＡＭＣプリアンプのｇｍで、０ｄＢがｇｍ＝１Ｓである。・なので、１ｋＨｚにおいては、ボリュームＲ３４＝１ｋΩの時には約７．６５ｄＢ＝２．４１Ｓ、１００Ωの時には約２．５ｄＢ＝１．３３Ｓ、１０Ωの場合は約－１２．３ｄＢ＝０．２４Ｓ、１Ωの場合は約－３１．５ｄＢ＝０．０２６Ｓ、０．１Ωの場合は約－５１．５ｄＢ＝０．００２６Ｓである。・Simple TR MCプリアンプやSimple MOS MCプリアンプ、そして、Simple ＳＩＴ MCプリアンプのｇｍよりやや小さい。
・従前の回路で同じくシミュレーションをする。
・結果はこう。・下が電圧ゲインだが、従前から終段C3Gの電圧ゲインは△３ｄBとマイナスだったことが分かるが、改定後のＳＩＴの電圧ゲインは更に△５ｄＢ程度減少して、トータル△８ｄBとなっていることが分かる。・こういう事なので、Ｓｉｍｐｌｅ２ＳＫ６３ＭＣプリアンプと同様に４０４Aのプレート―グリッド間の１０ｐF＋１０ｐFはもう不要だろうと、これを外したのだが、左チャンネルはそれで良かったが、右チャンネルはそうは行かず、５ｐF＋５ｐFが必要で、これがないと発振する。何とも難しいものだ。・次に電流ゲインだが、この表上の電流ゲインの結果と改定後の結果を見比べると、約４ｄＢ程度ゲインが上昇していることが分かる。
・改定後の、１ｋHzの０．３ｍV、１ｍV、２ｍV、３ｍV、４ｍV、５ｍVサイン入力における、出力電圧及び出力電流を観る。
・上が電流出力、下が電圧出力の状況。下の電圧出力のC3Gのグリッド電圧V（ｖｇ）は－１１０Ｖ付近なので、１１０Ｖを加算して見やすく表示したもの。・入力５ｍVまで問題なく対応している。
・１ｍＶ、１ｋHzサイン波入力における歪率を観ると、・Ｔｏｔａｌ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．２２３７２９％。・従来型では、０．０６０３９３％であるから４倍近く悪くなった。・が、従来型より電流ゲインが４ｄB大きくなったのだから、入力を－４ｄB≒０．６３倍＝０．６３ｍVにして測定しなければ、比較にならないので、やってみたところ、・Ｔｏｔａｌ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．１４０７６５１％。・残念ながら、２倍以上となった。・これも、C3Gのカソード抵抗を減らしたため、電流帰還、要するにＮＦＢ量が減ったことによるので、しょうがない。
・ＳＡＯＣの入口の抵抗を３０ｍeｇΩから１０ｍegΩに変更したことに伴い、電源オン直後に出力に現れる過渡的電圧が０Vに終息するまでの様子を観る。・カートリッジVⅠCを繋いでいる場合と、繋いでいない場合でシミュレート。
・結果。・緑がカートリッジVⅠCを繋いでいる場合、赤が繋いでいない場合。・従来型に比較すると、過渡電圧は半分程度になり、０Vに終息するまでの時間もやや短くなっている。・が、実機ではこうはならない。このシミュレーションでは、電源オン後真空管のヒーターが徐々に暖まって恒常状態になる過程がすっぽり抜けている。

・以上４台の簡素版無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプ。・ＤＬ－１０３用のＭＣプリアンプがこんなに簡素に成り立っている。奇跡のよう。・音も素晴らしい。・以上４台の簡素版無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプに音の違いはあるか？・と言うと中々難しい。・駄耳のせいなのが一番大きいが、４台とも、音を作っている中核がカートリッジVICの２ＳＫ９７であるということがある。・２ＳＫ９７のｇｍとイコライザー素子のインピーダンスで、１ｋＨｚで６０ｄＢ＝１０００倍のゲインが稼がれているのだ。・ＴＲやＭＯＳ、ＳＩＴ、そして真空管を用いた終段は、バッファに過ぎない。・そのバッファの違いが耳で分かるか？と言うことだが、まぁ、ほぼ分からない。（爆）・が、敢えて言えば、ＳＩＴ２ＳＫ６３を用いたＮｏ－２４８Ｓｉｍｐｌｅ SIT ＭＣプリアンプの音がなかなか好ましい。・ＳＩＴは登場した途端に消えてしまったが、音は良いものだったのだ。・私は、V-FET（ＳＩＴ）２ＳＪ１８－２ＳＫ６０パワーアンプ兼パワーＩＶＣとＳＩＴ（Ｖ－ＦＥＴ）２ＳＪ２０Ａ－２ＳＫ７０Ａパワーアンプ兼パワーＩＶＣと、V-FET（ＳＩＴ）起用のパワーアンプ兼パワーＩＶＣを有しているが、理由はそういうこと。・さらに、敢えて言えば、ＭＯＳ２ＳＫ２１４を用いたＮｏ－２４８ＳｉｍｐｌｅＭＯＳＭＣプリアンプの音も良い。・効率の悪いＳＩＴを消滅に追いやった素子だが、音も端正と秀才的な素子だ。・次にＴＲ。２ＳＣ９６０（２SC９５９も同じもの）を用いたＮｏ－２４８ＳｉｍｐｌｅＴＲＭＣプリアンプ。・近ごろは先生もＴＲに回帰されている。先生がはるか昔に選び抜かれたTRだ。音が良いのは当たり前。高解像度と仰られるがその通りかな。・そして、真空管。WE404Aを用いたＮｏ－２４８Ｓｉｍｐｌｅ４０４A ＭＣプリアンプ。・残念ながら、如何にも真空管と言った感じの音はしない。奥行きが深い空間感が出るが、基本的に半導体を用いた他のＳｉｍｐｌｅＭＣプリアンプ達と同様の音がする。要するに良い。・総じて、どれも最近の光カートリッジとそれ用に製作した光カートリッジ用プリアンプが奏でる音に肉薄又は匹敵する音がする。ので、今後も生き残るだろう。

２０２４年６月２１日

・以前からかなり時間がたった。・ので、その後の状況。
・最初に、Ｎｏ－２４８ＳｉｍｐｌｅＴＲＭＣプリアンプ。・２ＳＡ６０６、２ＳＣ９６０を使用した簡素版無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプ。・ちょっとだけ改変してある。

・回路はこう。・初段下の定電流回路のベース電圧を決めるツェナーダイオードをＨＺ６Ｃ２からＨＺ３Ｃ１に変更し、エミッタ抵抗を５．６ｋΩから２．２ｋΩに変更。・終段２ＳＣ９６０のエミッタ抵抗を５６０Ωから３３０Ωに変更するとともに、ツェナーダイオードＨＺ３Ｃ１を新たに挿入。・出力の抵抗を５６０Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームから１００Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームに変更。・ＳＡＯＣ入口の抵抗を３０ｍｅｇΩから１０ｍｅｇΩに変更。

・要すれば、電流ゲインをやや増やし、その結果的に電圧ゲインをやや減らしたもの。
・それを観るシミュレーション結果。・まず、下が電圧ゲイン。・緑のV（vb）／V(in）が、終段ダーリントンTR入口＝イコライザー素子までの電圧ゲインで、赤のＶ（ｏｕｔ）／Ｖ（ｉｎ）が終段ダーリントンＴＲ出口での電圧ゲイン。・終段ダーリントンＴＲでボリューム最大で△５ｄＢ近く電圧ゲインが減っていることが分かる。・上が、電流ゲイン。要はこれがＮｏ－２４８ＳｉｍｐｌｅＴＲＭＣプリアンプのｇｍで、０ｄＢがｇｍ＝１Ｓである。・なので、１ｋＨｚにおいては、ボリュームＲ３４＝１ｋΩの時には約９．５ｄＢ＝３Ｓ、１００Ωの時には約３．５ｄＢ＝１．５Ｓ、１０Ωの場合は約－１１ｄＢ＝０．２８Ｓ、１Ωの場合は約－３０ｄＢ＝０．０３Ｓ、０．１Ωの場合は約－５０ｄＢ＝０．００３Ｓである。
・前がどうだったのか分からなければ、電流ゲインをやや増やし、電圧ゲインをやや減らしたことが明らかにならない。・従前の回路で同じくシミュレーションをする。
・結果はこう。・下が電圧ゲインだが、改定前は終段ダーリントンＴＲの電圧ゲインはほぼ０ｄＢ～２ｄB程度だったものが、上の改定後では△３．５ｄＢ以上減少していることも分かる。・次に電流ゲインだが、この表上の電流ゲインの結果と改定後の結果を見比べると、約４ｄＢ程度ゲインが上昇していることが分かる。
・改定後の、１ｋHzの０．３ｍV、１ｍV、２ｍV、３ｍV、４ｍV、５ｍVサイン波入力における、出力電圧及び出力電流を観る。
・上が電流出力、下が電圧出力の状況。・入力５ｍVまで問題なく対応している。・良いね。
・が、良いことばかりではない。・１ｍＶ、１ｋHzサイン波入力における歪率を観ると、・Ｔｏｔａｌ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．０５１９０７％。・従来型では、０．０１０２２６％であったから５倍以上悪くなった。・が、従来型より電流ゲインが４ｄB大きくなったのだから、入力を－４ｄB≒０．６３倍＝０．６３ｍVにして測定しなければ、比較にならないので、やってみたところ、・Ｔｏｔａｌ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．０３１９５２％。・残念ながら、３倍以上となった。・終段２ＳＣ９６０のエミッタ抵抗を減らしたため、電流帰還、要するにＮＦＢ量が減ったためだろう。・が、無帰還であるし、この単純な回路で十分な出力をもたらすMCプリアンプとなっているのだから、不満はない。
・ＳＡＯＣの入口の抵抗を３０ｍｅｇΩから１０ｍｅｇΩに変更したのは、本体の変更に伴い、低域のピーク周波数を適正にするためのもの。・これに伴い、電源オン直後に出力電圧に現れる過渡的電圧が０Vに終息するまでの様子も変わる。・その状況を、カートリッジVⅠCを繋いでいる場合と、繋いでいない場合でシミュレートする。
・結果。・緑がカートリッジVⅠCを繋いでいる場合、赤が繋いでいない場合。・従来型に比較すると、過渡電圧もやや小さくなり、０Vに終息するまでの時間も半分程度に短くなっている。

・次に、Ｎｏ－２４８Ｓｉｍｐｌｅ MOS ＭＣプリアンプ。・２ＳJ７７、２ＳK２１４を使用した簡素版無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプ。・これもちょっとだけ改変してある。

・回路はこう。・終段２ＳK２１４のソース抵抗を５６０Ωから３３０Ωに変更するとともに、ツェナーダイオードＨＺ３Ｃ１を新たに挿入。・出力の抵抗を５６０Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームから１００Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームに変更。・ＳＡＯＣ入口の抵抗を３０ｍｅｇΩから１０ｍｅｇΩに変更。・要すれば、Ｎｏ－２４８ＳｉｍｐｌｅＴＲＭＣプリアンプと同じ。

・これも、電流ゲインをやや増やし、その結果的に電圧ゲインをやや減らしたもの。
・それを観るシミュレーション結果がこれ。・まず、下が電圧ゲイン。・緑のV（ｍ１ｇ）／V(in）が、終段ＭＯＳ入口＝イコライザー素子までの電圧ゲインで、赤のＶ（ｏｕｔ）／Ｖ（ｉｎ）が終段ＭＯＳ出口での電圧ゲイン。・終段ＭＯＳでボリューム最大で△５ｄＢゲインが減っていることが分かる。・上が、電流ゲイン。要はこれがＮｏ－２４８ＳｉｍｐｌｅＭＯＳＭＣプリアンプのｇｍで、０ｄＢがｇｍ＝１Ｓである。・なので、１ｋＨｚにおいては、ボリュームＲ３４＝１ｋΩの時には約８．０ｄＢ＝２．５Ｓ、１００Ωの時には約３．５ｄＢ＝１．５Ｓ、１０Ωの場合は約－１１．３ｄＢ＝０．２７Ｓ、１Ωの場合は約－３０．５ｄＢ＝０．０３Ｓ、０．１Ωの場合は約－５０．５ｄＢ＝０．００３Ｓである。・測定誤差と言うか読み取り誤差があるので、大体Simple TR MCプリアンプと同じだが、全体的にやや小さい。・これは、２ＳＫ２１４のｇｍが２ＳＣ１４００＋２ＳＣ９６０によるダーリントンＴＲによるｇｍよりやや小さいためだろう。
・従前の回路で同じくシミュレーションをする。
・結果はこう。・下が電圧ゲインだが、これと比較すると、改定前のMOSの電圧ゲインはほぼ△５ｄＢ以上減少していることも分かる。・次に上の電流ゲインだが、この表上の電流ゲインの結果と改定後の結果を見比べると、約５ｄＢ程度ゲインが上昇していることが分かる。
・改定後の、１ｋHzの０．３ｍV、１ｍV、２ｍV、３ｍV、４ｍV、５ｍVサイン入力における、出力電圧及び出力電流を観る。
・上が電流出力、下が電圧出力の状況。・入力５ｍVまで問題なく対応している。
・１ｍＶ、１ｋHzサイン波入力における歪率を観ると、・Ｔｏｔａｌ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．１２２３２５％。・従来型では、０．０３１０６％であったから４倍悪くなった。・が、従来型より電流ゲインが５ｄB大きくなったのだから、入力を－５ｄB≒０．５６倍＝０．５６ｍVにして測定しなければ、比較にならないので、やってみたところ、・Ｔｏｔａｌ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．０６７７５３％。・TR版と同様、残念ながら、２倍以上となった。・これも、２ＳＫ２１４のソース抵抗を減らしたため、電流帰還、要するにＮＦＢ量が減ったためだ。しょうがない。
・ＳＡＯＣの入口の抵抗を３０ｍｅｇΩから１０ｍｅｇΩに変更したことに伴い、電源オン直後に出力電圧に現れる過渡的電圧が０Vに終息するまでの様子を観る。・カートリッジVⅠCを繋いでいる場合と、繋いでいない場合でシミュレート。
・結果。・緑がカートリッジVⅠCを繋いでいる場合、赤が繋いでいない場合。・従来型に比較すると、過渡電圧もやや小さくなり、０Vに終息するまでの時間も半分程度に短くなっている。

・続いて、Ｎｏ－２４８Ｓｉｍｐｌｅ SIT ＭＣプリアンプ。・２ＳＫ６３を使用した簡素版無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプ。・これも同様にちょっとだけ改変してある。

・回路はこう。・終段２ＳK６３のソース抵抗を５６０Ωから３３０Ωに変更するとともに、ツェナーダイオードＨＺ４Ｂ２を新たに挿入。・出力の抵抗を５６０Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームから１００Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームに変更。・ＳＡＯＣ入口の抵抗を３０ｍｅｇΩから１０ｍｅｇΩに変更。・２ＳＫ６３のドレイン―ゲート間に取り付けていた５ｐＦを撤去。・要すれば、Ｎｏ－２４８ＳｉｍｐｌｅＴＲＭＣプリアンプ、Ｎｏ－２４８ＳｉｍｐｌｅＴＲＭＣプリアンプ同じ。

・これも、電流ゲインをやや増やし、その結果的に電圧ゲインをやや減らしたもの。
・それを観るシミュレーション結果。・まず、下が電圧ゲイン。・緑のV（ｍ１ｇ）／V(in）が、終段ＳＩＴ入口＝イコライザー素子までの電圧ゲインで、赤のＶ（ｏｕｔ）／Ｖ（ｉｎ）が終段ＳＩＴ出口での電圧ゲイン。・終段ＳＩＴでボリューム最大で△６ｄＢゲインが減っていることが分かる。・上が、電流ゲイン。要はこれがＮｏ－２４８ＳｉｍｐｌｅＳＩＴＭＣプリアンプのｇｍで、０ｄＢがｇｍ＝１Ｓである。・なので、１ｋＨｚにおいては、ボリュームＲ３４＝１ｋΩの時には約８．７ｄＢ＝２．７Ｓ、１００Ωの時には約２．８ｄＢ＝１．３８Ｓ、１０Ωの場合は約－１２ｄＢ＝０．２５Ｓ、１Ωの場合は約－３１．２ｄＢ＝０．０２６Ｓ、０．１Ωの場合は約－５１ｄＢ＝０．００２８Ｓである。・大体Simple TR MCプリアンプやとSimple MOS MCプリアンプより、全体的にやや小さい。・これは、２ＳＫ６３（＝２SK７９）のｇｍが２ＳＫ２１４のｇｍよりやや小さいためだろう。
・従前の回路で同じくシミュレーションをする。
・結果はこう。・下が電圧ゲインだが、これと比較すると、改定後のＳＩＴの電圧ゲインはほぼ△５ｄＢ以上減少していることが分かる。・また、終段ＳＩＴによる電圧ゲインは、従前は０ｄＢ程度であったものが、改定後は△４ｄＢ以下になっている、従前型では２ＳＫ６３のドレイン―ゲート間に発振対策として５ｐＦが必要だったものが、改定後は必要なくなったのは、このためであろう。・次に上の電流ゲインだが、この表上の電流ゲインの結果と改定後の結果を見比べると、約５ｄＢ程度ゲインが上昇していることが分かる。
・改定後の、１ｋHzの０．３ｍV、１ｍV、２ｍV、３ｍV、４ｍV、５ｍVサイン入力における、出力電圧及び出力電流を観る。
・上が電流出力、下が電圧出力の状況。・入力５ｍVまで問題なく対応している。
・１ｍＶ、１ｋHzサイン波入力における歪率を観ると、・Ｔｏｔａｌ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．１４９５０２％。・従来型では、０．０３６１７９％であったから４倍以上悪くなった。・が、従来型より電流ゲインが５ｄB大きくなったのだから、入力を－５ｄB≒０．５６倍＝０．５６ｍVにして測定しなければ、比較にならないので、やってみたところ、・Ｔｏｔａｌ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．０８３０９％。・TR版、MOS版と同様、残念ながら、２倍以上となった。・これも、２ＳＫ６８のソース抵抗を減らしたため、電流帰還、要するにＮＦＢ量が減ったことによるので、しょうがない。
・ＳＡＯＣの入口の抵抗を３０ｍeｇΩから１０ｍegΩに変更したことに伴い、電源オン直後に出力に現れる過渡的電圧が０Vに終息するまでの様子を観る。・カートリッジVⅠCを繋いでいる場合と、繋いでいない場合でシミュレート。
・結果。・緑がカートリッジVⅠCを繋いでいる場合、赤が繋いでいない場合。・従来型に比較すると、過渡電圧は半分程度になり、０Vに終息するまでの時間も半分程度に短くなっている。

・続いて、Ｎｏ－２４８Ｓｉｍｐｌｅ４０４A ＭＣプリアンプ。・WE４０４Aを使用した簡素版無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプ。・これも同様にちょっとだけ改変してある。

・回路はこう。・終段４０４Aのカソード抵抗を５６０Ωから３３０Ωに変更。・出力の抵抗を５６０Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームから１００Ω＋１００Ω＋１ｋΩボリュームに変更。・ＳＡＯＣ入口の抵抗を３０ｍｅｇΩから１０ｍｅｇΩに変更。・４０４Aのプレート―グリッド間に取り付けていた１０ｐF＋１０ｐFを、左チャンネルは撤去、右チャンネルは５ｐF＋５ｐFに変更。・要すれば、これまでのＳｉｍｐｌｅＭＣプリアンプ達に同じ。

・これも、電流ゲインをやや増やし、その結果的に電圧ゲインをやや減らしたもの。・ただし、４０４Ａのモデルがなく、Ｃ３Ｇのモデルで代用しているので、以下どこまで正しいかは不明。
・それを観るシミュレーション結果。・まず、下が電圧ゲイン。・緑のV（Vｇ）／V(in）が、終段Ｃ３Ｇ入口＝イコライザー素子までの電圧ゲインで、赤のＶ（ｏｕｔ）／Ｖ（ｉｎ）が終段Ｃ３Ｇ出口での電圧ゲイン。・終段Ｃ３Ｇでボリューム最大で△８ｄＢゲインが減っていることが分かる。・上が、電流ゲイン。要はこれがＮｏ－２４８Ｓｉｍｐｌｅ４０４ＡＭＣプリアンプのｇｍで、０ｄＢがｇｍ＝１Ｓである。・なので、１ｋＨｚにおいては、ボリュームＲ３４＝１ｋΩの時には約７．６５ｄＢ＝２．４１Ｓ、１００Ωの時には約２．５ｄＢ＝１．３３Ｓ、１０Ωの場合は約－１２．３ｄＢ＝０．２４Ｓ、１Ωの場合は約－３１．５ｄＢ＝０．０２６Ｓ、０．１Ωの場合は約－５１．５ｄＢ＝０．００２６Ｓである。・Simple TR MCプリアンプやSimple MOS MCプリアンプ、そして、Simple ＳＩＴ MCプリアンプのｇｍよりやや小さい。
・従前の回路で同じくシミュレーションをする。
・結果はこう。・下が電圧ゲインだが、従前から終段C3Gの電圧ゲインは△３ｄBとマイナスだったことが分かるが、改定後のＳＩＴの電圧ゲインは更に△５ｄＢ程度減少して、トータル△８ｄBとなっていることが分かる。・こういう事なので、Ｓｉｍｐｌｅ２ＳＫ６３ＭＣプリアンプと同様に４０４Aのプレート―グリッド間の１０ｐF＋１０ｐFはもう不要だろうと、これを外したのだが、左チャンネルはそれで良かったが、右チャンネルはそうは行かず、５ｐF＋５ｐFが必要で、これがないと発振する。何とも難しいものだ。・次に電流ゲインだが、この表上の電流ゲインの結果と改定後の結果を見比べると、約４ｄＢ程度ゲインが上昇していることが分かる。
・改定後の、１ｋHzの０．３ｍV、１ｍV、２ｍV、３ｍV、４ｍV、５ｍVサイン入力における、出力電圧及び出力電流を観る。
・上が電流出力、下が電圧出力の状況。下の電圧出力のC3Gのグリッド電圧V（ｖｇ）は－１１０Ｖ付近なので、１１０Ｖを加算して見やすく表示したもの。・入力５ｍVまで問題なく対応している。
・１ｍＶ、１ｋHzサイン波入力における歪率を観ると、・Ｔｏｔａｌ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．２２３７２９％。・従来型では、０．０６０３９３％であるから４倍近く悪くなった。・が、従来型より電流ゲインが４ｄB大きくなったのだから、入力を－４ｄB≒０．６３倍＝０．６３ｍVにして測定しなければ、比較にならないので、やってみたところ、・Ｔｏｔａｌ　Ｈａｒｍｏｎｉｃ　Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ＝０．１４０７６５１％。・残念ながら、２倍以上となった。・これも、C3Gのカソード抵抗を減らしたため、電流帰還、要するにＮＦＢ量が減ったことによるので、しょうがない。
・ＳＡＯＣの入口の抵抗を３０ｍeｇΩから１０ｍegΩに変更したことに伴い、電源オン直後に出力に現れる過渡的電圧が０Vに終息するまでの様子を観る。・カートリッジVⅠCを繋いでいる場合と、繋いでいない場合でシミュレート。
・結果。・緑がカートリッジVⅠCを繋いでいる場合、赤が繋いでいない場合。・従来型に比較すると、過渡電圧は半分程度になり、０Vに終息するまでの時間もやや短くなっている。・が、実機ではこうはならない。このシミュレーションでは、電源オン後真空管のヒーターが徐々に暖まって恒常状態になる過程がすっぽり抜けている。

・以上４台の簡素版無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプ。・ＤＬ－１０３用のＭＣプリアンプがこんなに簡素に成り立っている。奇跡のよう。・音も素晴らしい。・以上４台の簡素版無帰還ＩＶＣ型ＭＣプリアンプに音の違いはあるか？・と言うと中々難しい。・駄耳のせいなのが一番大きいが、４台とも、音を作っている中核がカートリッジVICの２ＳＫ９７であるということがある。・２ＳＫ９７のｇｍとイコライザー素子のインピーダンスで、１ｋＨｚで６０ｄＢ＝１０００倍のゲインが稼がれているのだ。・ＴＲやＭＯＳ、ＳＩＴ、そして真空管を用いた終段は、バッファに過ぎない。・そのバッファの違いが耳で分かるか？と言うことだが、まぁ、ほぼ分からない。（爆）・が、敢えて言えば、ＳＩＴ２ＳＫ６３を用いたＮｏ－２４８Ｓｉｍｐｌｅ SIT ＭＣプリアンプの音がなかなか好ましい。・ＳＩＴは登場した途端に消えてしまったが、音は良いものだったのだ。・私は、V-FET（ＳＩＴ）２ＳＪ１８－２ＳＫ６０パワーアンプ兼パワーＩＶＣとＳＩＴ（Ｖ－ＦＥＴ）２ＳＪ２０Ａ－２ＳＫ７０Ａパワーアンプ兼パワーＩＶＣと、V-FET（ＳＩＴ）起用のパワーアンプ兼パワーＩＶＣを有しているが、理由はそういうこと。・さらに、敢えて言えば、ＭＯＳ２ＳＫ２１４を用いたＮｏ－２４８ＳｉｍｐｌｅＭＯＳＭＣプリアンプの音も良い。・効率の悪いＳＩＴを消滅に追いやった素子だが、音も端正と秀才的な素子だ。・次にＴＲ。２ＳＣ９６０（２SC９５９も同じもの）を用いたＮｏ－２４８ＳｉｍｐｌｅＴＲＭＣプリアンプ。・近ごろは先生もＴＲに回帰されている。先生がはるか昔に選び抜かれたTRだ。音が良いのは当たり前。高解像度と仰られるがその通りかな。・そして、真空管。WE404Aを用いたＮｏ－２４８Ｓｉｍｐｌｅ４０４A ＭＣプリアンプ。・残念ながら、如何にも真空管と言った感じの音はしない。奥行きが深い空間感が出るが、基本的に半導体を用いた他のＳｉｍｐｌｅＭＣプリアンプ達と同様の音がする。要するに良い。・総じて、どれも最近の光カートリッジとそれ用に製作した光カートリッジ用プリアンプが奏でる音に肉薄又は匹敵する音がする。ので、今後も生き残るだろう。